| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 2.8A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26.9nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.8A |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 2.17W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
ZXMP10A18KTC
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
ZXMP2106G
ZXMP2120E5TA
MOSFET P-Ch 200 Volt 0.122A
ZXMP10A18GTA
MOSFET 100V P-Chnl UMOS
ZXMP10A18G
ZXMP10A17KTC
MOSFET 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM
