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ZXMNS3BM832TA

品牌:
  Diodes Inc.
封装:
 8-VDFN 裸露焊盘
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch
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ZXMNS3BM832TA-8-VDFN 裸露焊盘封装图片

ZXMNS3BM832TA参数资料

PDF资料下载:
制造商Diodes Inc.
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压30 V
闸/源击穿电压+/- 12 V
漏极连续电流2.72 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.25 Ohms
配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式MLP-8
包装形式Reel
下降时间2.1 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散3 W
上升时间1.5 ns
工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间5.1 ns

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