| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 70 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.1 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.13 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | DPAK |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 5.8 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 8.5 W |
| 上升时间 | 2 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 11.5 ns |
ZXMNS3BM832TA
MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch
ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-Ch 100 Volt 0.7A
ZXMN7A11K
ZXMN7A11GTA
MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
ZXMN7A11GQTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
