| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 3.6A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.8A |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
ZXMN6A25GTA
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
ZXMN6A25K
MOSFET N-CHAN 60V DPAK
ZXMN6A25KTC
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
ZXMN6A25DN8TC
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A11ZTA
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
