制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 4.4 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.18 Ohms |
配置 | Single Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOT-223 |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 4.6 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 3.9 W |
上升时间 | 3.5 ns |
工厂包装数量 | 4000 |
典型关闭延迟时间 | 8.2 ns |
ZXMN6A11Z
ZXMN6A11ZTA
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A11GTA-52
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
ZXMN6A11GTA
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A11G