制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 3.2 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.18 Ohms |
配置 | Dual Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOIC-8 |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 4.6 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.1 W |
上升时间 | 3.5 ns |
工厂包装数量 | 500 |
典型关闭延迟时间 | 8.2 ns |
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
ZXMN6A11G
ZXMN6A11GTA
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A10N8TA
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
ZXMN6A09KTC
MOSFET MOSFET N-CH 60V
ZXMN6A09KQTC
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252