制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 过渡期间 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 11.2 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 40 mOhms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | TO-252 |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 14.5 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 10.1 W |
上升时间 | 4.6 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
ZXMN6A10N8TA
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
ZXMN6A09KQTC
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
ZXMN6A09K
ZXMN6A09GTA
MOSFET N-Ch 60V 7.5A