| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 过渡期间 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 11.2 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 40 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-252 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 14.5 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 10.1 W |
| 上升时间 | 4.6 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
ZXMN6A10N8TA
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
ZXMN6A09KQTC
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
ZXMN6A09K
ZXMN6A09GTA
MOSFET N-Ch 60V 7.5A
