| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.04 Ohms |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 5 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 上升时间 | 5 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 25.3 ns |
ZXMN6A09DN8TCA
MOSFET 60V N-CHAN
ZXMN6A09G
ZXMN6A09GQTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
ZXMN6A09DN8
ZXMN6A08KTC
MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
