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ZXMN6A09DN8TA

品牌:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 8-SO
数量:
 14,650  
描述:
 MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
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ZXMN6A09DN8TA-8-SO封装图片

ZXMN6A09DN8TA参数资料

PDF资料下载:
制造商Diodes Inc.
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压60 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流5.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.04 Ohms
配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式SOIC-8
包装形式Reel
下降时间4.6 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散2.1 W
上升时间5 ns
工厂包装数量500
典型关闭延迟时间25.3 ns

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