| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 10A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 安装类型 | 通孔 |
YTC648
YTCR166
YTD07DS7722-1
KIT EVAL SH7722 CPU BOARD
YT9621500000G
TERM BLK 24P SIDE ENT 5.08MM PCB
YT9601500000G
TERM BLK 24P SIDE ENTRY 5MM PCB
YT9221500000G
TERM BLK 23P SIDE ENT 5.08MM PCB
