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PN930_Q

品牌：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 更新中..  
描述：
 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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PN930_Q-TO-92封装图片

PN930_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
RoHS否
配置Single
晶体管极性NPN
集电极—基极电压 VCBO45 V
集电极—发射极最大电压 VCEO45 V
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
集电极—射极饱和电压45 V
最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min10 at 10 uA at 5 V
最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole
封装形式TO-92
集电极连续电流0.1 A
最大功率耗散625 mW
最小工作温度- 55 C
包装形式Bulk

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