制造商 | Fairchild Semiconductor |
---|---|
RoHS | 否 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 30 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 15 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 3 V |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
增益带宽产品fT | 600 MHz |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 20 at 3 mA at 1 V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-92 |
最大功率耗散 | 350 mW |
最小工作温度 | - 55 C |
包装形式 | Bulk |
PN930
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
PN930_D75Z
两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp
PNA1608L
NPN PHOTOTRANS 800NM SIDE VIEW
PN918_D74Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN918
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SW
PN800