制造商 | Fairchild Semiconductor |
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RoHS | 否 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 20 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 12 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 2.5 V |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
增益带宽产品fT | 2 GHz |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 at 3 mA at 1 V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-92 |
最大功率耗散 | 350 mW |
最小工作温度 | - 55 C |
包装形式 | Bulk |
PN5310A3HN/C203,51
射频无线杂项 COMBO ANALOG/DIGI IC
PN5310A3HN/C203,55
射频无线杂项 COMBO ANALOG/DIGI IC
PN5331B3HN/C270,55
射频无线杂项 Com Controller 40Pin
PN5179_D75Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5179_D27Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5179_D26Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor