制造商 | Fairchild Semiconductor |
---|---|
RoHS | 否 |
配置 | Single |
晶体管极性 | PNP |
集电极—基极电压 VCBO | 30 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 30 V |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 1 mA at 10 V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-92 |
集电极连续电流 | 0.45 A |
最大功率耗散 | 625 mW |
最小工作温度 | - 55 C |
包装形式 | Bulk |
PN5139
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SW
PN5142
PNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92
PN5179
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5138_D75Z
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
PN5138_D26Z
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
PN5138 LEADFREE
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SW