| 制造商 | ON Semiconductor |
|---|---|
| RoHS | 否 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 156 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220 |
| 下降时间 | 85 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 6 S |
| 栅极电荷 Qg | 14 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 上升时间 | 80 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
NVTR01P02LT1G
MOSFET PFET 20V 0.160R TR
NVTR0202PLT1G
MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
NVTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
NV-TOL-3M
CONNECTING CABLE 3M
NVTJD4401NT1G
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
NVTJD4158CT1G
MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
