| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—基极电压 VCBO | - 80 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - 80 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 4 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 80 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 10 mA at 1 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23 |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 包装形式 | Reel |
KST63MTF
达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial
KST63MTF_Q
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KST64MTF
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