| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极—基极电压 VCBO | 180 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 160 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 160 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 80 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23 |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 直流电流增益 hFE 最大值 | 250 |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 包装形式 | Reel |
KST55MTF
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
KST55MTF_Q
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
KST56MTF
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KST5551-MTF
KST5551MTF
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KST5550MTF
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