| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—基极电压 VCBO | - 160 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - 150 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 150 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 1 mA at 5 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23 |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 包装形式 | Reel |
KST5550MTF
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
KST5551MTF
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
KST5551-MTF
KST5401MTF
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
KST5401
KST5179MTF_Q
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
