制造商 | Fairchild Semiconductor |
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产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
RoHS | 否 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 300 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 300 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
集电极—射极饱和电压 | 300 V |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOT-23 |
集电极连续电流 | 0.5 A |
最大功率耗散 | 350 mW |
包装形式 | Reel |
KST42TF
KST43MTF
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
KST43MTF_Q
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
KST42-MTF/1D
KST42-MTF
KST42MTF
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial