| 制造商 | IXYS |
|---|---|
| RoHS | 是 |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 类型 | TrenchT2 GigaMOS |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 电源电流 | 200 A |
| 最大功率耗散 | 1250 W |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | PLUS-247 |
| 包装形式 | Tube |
| 最大关闭延迟时间 | 90 ns |
| 最大开启延迟时间 | 40 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 激励器数量 | Single |
| 输出端数量 | 1 |
| 输出电流 | 600 A |
| 输出电压 | 40 V |
| 商标名 | TrenchT2 GigaMOS |
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IXTX60N50L2
MOSFET 60 Amps 500V
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTX6N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
IXTX5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTX550N055T2
功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXTX4N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
