制造商 | IXYS |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
漏极连续电流 | 18 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.42 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | PLUS 220 |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 22 ns |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 16 s |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 360 W |
上升时间 | 22 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
IXTV200N10T
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
IXTV200N10TS
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
IXTV22N50P
MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
IXTV18N60P
MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
IXTV130N15T
MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
IXTV120N15T
MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds