制造商 | IXYS |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
漏极连续电流 | 18 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.42 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | PLUS 220 |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 22 ns |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 16 s |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 360 W |
上升时间 | 22 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
IXTV18N60PS
MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
IXTV200N10T
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
IXTV200N10TS
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
IXTV130N15T
MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
IXTV120N15T
MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds
IXTV110N25TS
MOSFET 110 Amps 250V