制造商 | IXYS |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 1 KV |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
漏极连续电流 | 750 mA |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 17 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-251 |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 40 W |
IXTU05N120
MOSFET N-CH 1200V 500MA TO251
IXTU06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251
IXTU08N100P
MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
IXTU02N50D
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTU01N80
MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
IXTU01N100D
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds