制造商 | Fairchild Semiconductor |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 62 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.015 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-262 |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 36 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 70 W |
上升时间 | 52 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
ISL9N310AS3SD
ISL9N310AS3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AS3T
ISL9N310AP3
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AD3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AD3
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized