| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.008 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220AB |
| 包装形式 | Tube |
| 下降时间 | 32 ns, 31 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 100 W |
| 上升时间 | 67 ns, 40 ns |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns, 64 ns |
ISL9N308AS3SD
ISL9N308AS3ST
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N30AS3ST
ISL9N308AD3ST
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N308AD3
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N307AS3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
