制造商 | Fairchild Semiconductor |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 75 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.0115 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-220AB |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 40 ns, 35 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 100 W |
上升时间 | 70 ns, 45 ns |
工厂包装数量 | 400 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns, 60 ns |
ISL9N307AS3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N308AD3
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N308AD3ST
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N307AD3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N306AW1
MOSFET
ISL9N306AS3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized