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ISL9N303AP3_Q

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220AB
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET N-Ch UltraFET Logic Level
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ISL9N303AP3_Q-TO-220AB封装图片

ISL9N303AP3_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压30 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0032 Ohms
配置Single
最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole
封装形式TO-220AB
包装形式Tube
下降时间25 ns, 21 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散215 W
上升时间80 ns, 69 ns
典型关闭延迟时间35 ns, 51 ns

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