| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—基极电压 VCBO | 40 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 at 0.1 mA at 1 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-223 |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 包装形式 | Reel |
FZT458
FZT458QTA
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223
FZT458TA
两极晶体管 - BJT NPN High Voltage
FZT4403TA
两极晶体管 - BJT -
FZT3019_Q
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power Transistor
FZT3019
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power Transistor
