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FZT3019_Q

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-223
数量:
 更新中..  
描述:
 两极晶体管 - BJT NPN Medium Power Transistor
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FZT3019_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
RoHS
配置Single
晶体管极性NPN
集电极—基极电压 VCBO140 V
集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
发射极 - 基极电压 VEBO7 V
集电极—射极饱和电压80 V
最大直流电集电极电流1 A
增益带宽产品fT100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 0.1 mA at 10 V
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式SOT-223
最大功率耗散8 mW
最小工作温度- 55 C
包装形式Reel

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