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FDT3612_Q

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-223
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET 100V NCh PowerTrench
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FDT3612_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压100 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流3.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)120 Ohms
配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式SOT-223
包装形式Reel
下降时间4.5 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 11 S
最小工作温度- 55 C
功率耗散3 W
上升时间2 ns
典型关闭延迟时间23 ns

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