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FDS9953A_Q

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET SO-8
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FDS9953A_Q-SOIC-8 Narrow封装图片

FDS9953A_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
RoHS
晶体管极性P-Channel
汲极/源极击穿电压- 30 V
闸/源击穿电压+/- 25 V
漏极连续电流+/- 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)130 Ohms
配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式SOIC-8 Narrow
包装形式Reel
下降时间2 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 4 S
最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W
上升时间13 ns
典型关闭延迟时间11 ns

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