制造商 | Fairchild Semiconductor |
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RoHS | 否 |
晶体管极性 | P-Channel |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 25 V |
漏极连续电流 | +/- 2.9 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 130 Ohms |
配置 | Dual Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOIC-8 Narrow |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 2 ns |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 4 S |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2 W |
上升时间 | 13 ns |
典型关闭延迟时间 | 11 ns |
FDS9958
MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench
FDS9958_F085
MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS
FDSS2407
MOSFET SO8 DUAL PCH
FDS9953A
MOSFET SO-8
FDS9945-NL
FDS9945_Q
MOSFET SO-8