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FDS8958A_Q

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
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FDS8958A_Q-SOIC-8 Narrow封装图片

FDS8958A_Q参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N and P-Channel
汲极/源极击穿电压+/- 30 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流7 A, - 5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.028 Ohms
配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式SOIC-8 Narrow
包装形式Reel
下降时间3 ns, 9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 25 S, 10 S
最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W
上升时间5 ns, 13 ns
典型关闭延迟时间23 ns, 14 ns

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