制造商 | NXP |
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产品种类 | 射频MOSFET电源晶体管 |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 65 V |
漏极连续电流 | 3.5 A |
闸/源击穿电压 | 13 V |
最大工作温度 | + 150 C |
封装形式 | CDFM |
包装形式 | Tube |
最小工作温度 | - 65 C |
安装风格 | SMD/SMT |
产品类型 | MOSFET Power |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 1.256 Ohms |
工厂包装数量 | 60 |
零件号别名 | BLF6G27-10,112 |
BLF6G27-10,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G27-10G,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G27-135,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G24-180PN,112
射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor
BLF6G24-12,112
射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS
BLF6G22S-45,112
射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS