| 制造商 | NXP |
|---|---|
| 产品种类 | 射频MOSFET电源晶体管 |
| RoHS | 是 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 34 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装形式 | SOT502B |
| 包装形式 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.135 Ohms |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 零件号别名 | BLF6G22LS-130,112 |
BLF6G22LS-130,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22LS-130,118
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22LS-180RN,11
射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin
BLF6G22LS-100,118
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22LS-100,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22LS-100 /T3
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
