制造商 | Toshiba |
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产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 30 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 160 at 500mA at 2V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-92 |
直流电流增益 hFE 最大值 | 160 at 500 mA at 2 V |
最大功率耗散 | 900 mW |
工厂包装数量 | 2000 |
2SC2236-Y-AP
TRANS NPN 30V 1.5A TO92MOD
2SC2236-Y-BP
TRANS NPN 30V 1.5A TO92MOD
2SC2237
2SC2236-Y(TE6,F,M)
两极晶体管 - BJT Transistor NPN, 30V, 1.5A
2SC2236-Y
2SC2236-O(TE6,F,M)
两极晶体管 - BJT Transistor NPN, 30V, 1.5A