| 制造商 | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 29 mOhms at 4.5 V |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSMT-8 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 215 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 上升时间 | 75 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 390 ns |
QSB320
光电晶体管 Phototransistor
QSB320FTR
光电晶体管 Silicon Infrared Phototransistor
QSB320TR
光电晶体管 Phototransistor SMD Infrared
QS8J13TR
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
QS8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
