| 制造商 | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.6 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSMT-6 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.9 W |
| 上升时间 | 7 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
QS8J1TR
MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
QSB320
光电晶体管 Phototransistor
QSB320FTR
光电晶体管 Silicon Infrared Phototransistor
QS6U24
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A
QS6M4TR
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
