| 制造商 | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | + 30 V, - 20 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.26 Ohms |
| 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSMT-6 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 上升时间 | 18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns at N Channel, 45 ns at P Channel |
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A
QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
QS8J1TR
MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
QS6M4
QS6M3TR
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
QS6K21TR
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
