FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 238 毫欧 @ 1A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 77pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
QS6K21TR
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
QS6M3TR
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
QS6M4TR
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
QS6K1FRATR
2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE
QS6J3TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A
QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6