| 制造商 | Central Semiconductor |
|---|---|
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| RoHS | 过渡期间 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极—基极电压 VCBO | 30 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 15 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 3 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 15 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 增益带宽产品fT | 600 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 20 at 3 mA at 1 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-92 |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 包装形式 | Box |
| 工厂包装数量 | 2500 |
PN918_D74Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
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PN930
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
PN930_D75Z
两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp
PN800
PN7599
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PN7597
SENSOR 14.5PSI 1/4"
