制造商 | Fairchild Semiconductor |
---|---|
产品种类 | 射频双极小信号晶体管 |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
最大工作频率 | 2000 MHz |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 12 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 2.5 V |
集电极连续电流 | 0.05 A |
功率耗散 | 350 mW |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
封装形式 | TO-92 |
包装形式 | Bulk |
直流电流增益 hFE 最大值 | 250 |
增益带宽产品fT | 2000 MHz |
最小工作温度 | - 55 C |
安装风格 | Through Hole |
工厂包装数量 | 2000 |
PN5179_D26Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5179_D27Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5179_D75Z
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
PN5142
PNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92
PN5139
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SW
PN5138_Q
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose