| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.4 欧姆 @ 250mA, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 250mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
EM6K6T2R
MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
EM6K7T2R
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
EM6M1T2R
MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
EM6K31GT2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V .1A
EM6K1
