| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 二极管（隔离式） |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 51 毫欧 @ 1A, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.7nC @ 4V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 570mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA508TE-T1-A
MOSFET/SCHOTTKY N-CH 20V SC-95
UPA507TE-T2-A
MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V SC-95
UPA507TE-T1-A
MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V SC-95
