FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
---|---|
FET 特点 | 二极管(隔离式) |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 1A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.7nC @ 4V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
功率 - 最大 | 570mW |
安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA507TE-T1
UPA505T-T2-A
MOSFET N/P-CH 50V SC-95-6
UPA505T-T1-A
MOSFET N/P-CH 50V SC-95-6