FET 型 | N 和 P 沟道 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 25 欧姆 @ 10mA, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.8V @ 1µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 16pF @ 5V |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA505T-T1-A
MOSFET N/P-CH 50V SC-95-6
UPA505
UPA503T-T2-A
MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59