FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 13A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
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UPA800T-T1
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