| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.6 毫欧 @ 16A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.4nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1170pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
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UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA2800T1L-E2-AY
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UPA2800T1L-E1-AY
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