FET 型 | N 和 P 沟道 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12.5 毫欧 @ 5A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA2792GR-E1-AY
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
UPA2792GR(0)-E1-AZ
TRANSISTOR
UPA2791GR-E2-AT
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC