| FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12.5 毫欧 @ 5A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA2792GR(0)-E1-AZ
TRANSISTOR
UPA2791GR-E2-AT
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
UPA2791GR-E1-AT
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
