| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 标准型 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.5 毫欧 @ 7A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA2781GR-E1-AT
MOSFET/SCHOTTKY N-CH 30V 8-SOIC
UPA2781GR-E1-A
UPA2781GR
